Полное описание

GT-T8 Многофункциональный Тестер транзисторов NPN/PNP Биполярный транзистор/Диод/Резистор/Плата определения емкости/Напряжения/Тока

Характеристики:

1. Микроконтроллер оснащен внешним кварцевым генератором с частотой 8 МГц, и точность измерений выше.

2. Изготовлен из высококачественных материалов со встроенными компонентами.ЖК-экран оснащен подсветкой с низким энергопотреблением, долговечен и практичен.

3. ЖК-дисплей оснащен жидкокристаллическим экраном 12864, который может отображать данные измерений и графику одновременно.Более четкие шрифты и дисплеи.

4. Для соответствующих сопротивлений, влияющих на точность, используются металлопленочные резисторы в одну тысячную, а для остальных также используются металлопленочные резисторы в одну сотую.

Спецификация:

Рабочий ток: при напряжении 9 В стабильный рабочий ток составляет около 20 мА

Пояснение:

1. Автоматически определите расположение контактов компонентов.

2. Он может обнаруживать защитные диоды биполярных транзисторов и МОП-ламп.

3. Можно идентифицировать стабилитроны с обратным напряжением пробоя ниже 4,5 В.

4. Измерьте пороговое напряжение затвора и емкость затвора полевого транзистора MOS.

5. Для подключения выпрямительного моста требуется только одно измерение.

6. Разрешение измерения сопротивления составляет 0,1 Ом, и оно может измерять до 50 М Ом.

7. Измерьте коэффициент усиления тока и пороговое напряжение база-эмиттер биполярного транзистора.

8. Светодиод распознается как диод, который имеет более высокое прямое напряжение.Светодиод 2 в 1 идентифицируется как два диода.

9. Транзисторы Дарлингтона можно идентифицировать по их пороговому напряжению база-эмиттер и высокому коэффициенту усиления по току.

10. Два диода могут отображаться в правильном порядке и с указанием символа диода, указывая прямое напряжение диодов.

11. Конденсаторы выше 2 мкФ могут одновременно измерять значение ESR эквивалентного последовательного сопротивления.Могут отображать двузначные значения с десятичными знаками с разрешением 0,01 Ом.

12. Может автоматически обнаруживать NPN, PNP биполярные транзисторы, N-канальные и P-канальные MOS-полевые транзисторы, переходные полевые транзисторы, диоды, двойные диоды, маломощные однонаправленные тиристоры и симисторы.

13. Можно измерить обратную емкость одного диода.Обратная емкость коллекторного или эмиттерного перехода также может быть измерена, если база биполярного транзистора подключена к контакту коллектора или эмиттера.

14. Емкость может быть измерена.Он отображается с символом емкости, а значение отображается с правой стороны, и может быть отображено значение с 4 знаками после запятой.Емкость 30pF-100mF может быть измерена с разрешением 1pF.

15. Хотя нижний предел измерения емкости составляет 25 ПФ, вы можете получить желаемый результат, соединив измеренную емкость параллельно с емкостью известной емкости не менее 25 пф, а затем вычтя параллельную емкость из результата измерения.